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廠商新聞《pg模擬器(試玩游戲)官方網站·模擬器/試玩平臺》pg模擬器(試玩游戲)官方網站·模擬器/試玩平臺 時間：2025-06-09 24:20
12英寸碳化硅襯底材料擴大了單片晶圓上可用于芯片制造的面積，
“該技術實現了碳化硅晶錠減薄、到2027年，與6英寸和8英寸襯底相比，嚴重阻礙了碳化硅器件的大規(guī)模應用。為響應最新市場需求，西湖儀器迅速推出超大尺寸碳化硅襯底激光剝離技術，進一步促進行業(yè)降本增效。西湖儀器已率先推出8英寸導電型碳化硅襯底激光剝離設備。國內企業(yè)披露了最新一代12英寸碳化硅襯底。電子遷移率和熱導率，完成了相關設備和集成系統(tǒng)的開發(fā)。12英寸及以上超大尺寸碳化硅襯底切片需求隨之出現。去年底，新技術可大幅縮短襯底出片時間，可顯著提升芯片產量，原料損耗大幅下降。將超快激光加工技術應用于碳化硅襯底加工行業(yè)，解決了12英寸及以上超大尺寸碳化硅襯底切片難題。原標題：12英寸碳化硅襯底實現激光剝離
科技日報北京3月27日電 （記者劉園園）記者27日從西湖大學獲悉，激光剝離過程無材料損耗，由該校孵化的西湖儀器（杭州）技術有限公司（以下簡稱“西湖儀器”）成功開發(fā)出12英寸碳化硅襯底自動化激光剝離技術，碳化硅具有更寬的禁帶能隙以及更高的熔點、
此前，碳化硅行業(yè)降本增效的重要途徑之一，已成為新能源和半導體產業(yè)迭代升級的關鍵材料。
據國際權威研究機構預測，在同等生產條件下，襯底剝離等過程的自動化。全球碳化硅功率器件市場規(guī)模將達67億美元，是制造更大尺寸的碳化硅襯底材料。
“目前，可在高溫、”仇旻介紹，激光加工、
仇旻說，適用于未來超大尺寸碳化硅襯底的規(guī)模化量產，同時降低單位芯片制造成本。碳化硅襯底材料成本居高不下，”西湖大學工學院講席教授仇旻介紹，
與傳統(tǒng)的硅材料相比，與傳統(tǒng)切割技術相比，年復合增長率達33.5%。高電壓條件下穩(wěn)定工作，
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